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多体并行:高位/低位交叉编址

(1)图是适合于并行工作的高位交叉编址的多体存储器结构示意图,图中程序因按体内地址顺序存放(一个体存满后,再存入下一个体),故又有顺序存储之称。高位地址可表示体号,低位地址为体内地址。按这种编址方式,只要合理调动,使不同的请求源同时访问不同的体,便可实现并行工作。例如,当一个体正与CPU交换信息时,另一个体可同时与外部设备进行直接存储器访问,实现两个体并行工作。这种编址方式由于一个体内的地址是连续的,有利于存储器的扩充。


(2)图是低位交叉编址的多体模块结构示意图。由于程序连续存放在相邻体中,故又有交叉存储之称。低位地址用来表示体号,高位地址为体内地址。这种编址方式又称为模M编址(M等于模块数),一般模块数取2的方幂,使硬件电路比较简单。有的机器为了减少存储器冲突,采取质数个模块。

以实际数据为例,这样比较容易理解,比如说某个存储体的有2个存储芯片,每个芯片的存储周期为100ns,如果你去读数据,如果你的数据按照这种放置方法,先放第一个芯片,放满后再放第2个芯片(顺序方式)。那么你读数据的过程就是这样:

读0位置数据,等100ns,读1位置数据,等100ns读2位置数据。很容易理解。

但如果你换个方式来放,比如说我0位置是1号芯片起始,1位置是2号芯片起始位置,2位置是1号芯片第2个单元,3位置是2号芯片的第2个单元这样交叉来编址。再回忆存储周期的概念:其实从芯片中把数据读到缓冲区,再从缓冲区读到CPU,这个读的过程非常短,仅仅是个脉冲就可以解决的问题,但由于芯片的物理属性,你读一个芯片后,必须间隔一段时间才能去读。采