MOS管快速入门到精通
参考链接：https://zhuanlan.zhihu.com/p/410371393
1. 三个极的判定
G极(gate)—栅极，不用说比较好认
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边
2. N沟道与P沟道判别
箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道
3. 寄生二极管方向判定
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：
要么都由S指向D，要么都有D指向S
4. MOS开关实现的功能
1>信号切换
2>电压通断
5. MOS管用作开关时在电路中的连接方法
关键点:
1>确定那一极连接输入端，那一极连接输出端
2>控制极电平为？V 时MOS管导通
3>控制极电平为？V 时MOS管截止
NMOS：D极接输入，S极接输出
PMOS：S极接输入，D极接输出
反证法加强理解
NMOS假如：S接输入，D接输出
由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用
PMOS假如：D接输入，S接输出
同样失去了开关的作用
6. MOS管的开关条件
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|
7. 相关概念
BJT
Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管，BJT是电流控制器件；
FET
Field Effect Transistor 场效应晶体管，FET是电压控制器件.
按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类
按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
8. MOS管重要参数
①封装
②类型（NMOS、PMOS）
③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压）
④饱和电流Id
⑤导通阻抗Rds
⑥栅极阈值电压Vgs(th)
9. 从MOS管实物识别管脚
无论是NMOS还是PMOS
按上图方向摆正，中间的一脚为D，左边为G，右边为S。
或者这么记：单独的一脚为D，逆时针转DGS。
这里顺便提一下三极管的管脚识别：同样按照上图方向摆正，中间一脚为C，左边为B，右边为E。
管脚编号
从G脚开始，逆时针123
三极管的管脚编号同样从B脚开始，逆时针123
10. 用万用表辨别NNOS、PMOS
借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S,黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道。
11. 画一个MOS管
以上是讲解了快速入门的基本知识，现在给大家分享精通mos管视频，由张飞实战电子张飞老师讲解 ，讲透每个知识点
添加客服领取视频：
张飞实战电子官方微信zyunying.zhangfeidz.com?id=19编辑
以下是视频知识点介绍：
1-MOSFET 的认识及 MOSFET 与三极管对比功耗分析
2-MOSFET 损耗问题讨论及 MOSFET 的 GS 电容问题讨论
3-MOSFET 的 GS 下拉电阻及 MOSFET 的等效模型讲解
4-MOFET 导通阈值问题及 GS 电容和下拉电阻回路分流问题讨论
5-MOSFET 米勒效应及 MOSFET 的放大区讨论
6-MOSFET 导通过程相关波形绘制及各时间点状态分析与米勒区域前
后功耗问题讨论
7-MOSFET 的 Vds、Vgs 波形完善及 Rdson 与 Vgs 电压的关系
8-MOSFET 的 Igs 曲及四大损耗与减小米勒平台区间的损耗方法讨论
9-降低开关损耗带来的其它问题分析及高压 MOSFET 栅极电阻取值
10-MOSFET 栅极电阻与米勒平台时间取值及桥式电路分析
11-桥式电路管子误触发因素讨论及 MOSFET 阈值电压选取
12-开关损耗的讨论及三相逆变桥电路中上桥斩波下桥恒通回路分析
13-三相逆变桥电路上桥斩波下桥恒通与下桥斩波上桥恒通回路分析
14-单桥臂斩波时管子热量分析及如何解决 MOSFET 发热问题
15-MOSFET 的续流损耗解决办法讨论
16-三相逆变桥互补载波方式的续流回路分析 1
17-三相逆变桥互补载波方式的续流回路分析 2
18-低阈值的 MOSFET 优势及耐压问题讨论与数据手册讲解
19-MOSFET 的数据手册讲解
20-电路设计需要掌握的三大定律及一些重要概念介绍