STM32 LCD屏幕学习

写于2024/8/25日中午 该文章仅供自己学习参考

1. OLED简介

1.1 LCD基本组成

• 玻璃基板
• 背光
• 驱动IC

1.2 LCD分类

如下：

• 按信号类型分为 TTL/LVDS/EDP/MIPI 几大类别
• 按材质分类分为（针对 TFT-LCD） TFT-TN/TFT-IPS/TFT-VA。
• 接口类型分为：RGB 模式、SPI 模式、MDDI 模式、VSYNC 模式、DSI 模式、MCU 模式等

其中

2. 液晶显示控制器（ILI9341）

TFTLCD 模块其驱动芯片有：ILI9341/ST7789/NT35310/NT35510/SSD1963等，我学习的这块LCD采用ILI9341芯片，下面学习也会围绕此芯片进行。

ILI9341 液晶控制器自带显存，可配置支持 8/9/16/18 位的总线中的一种，可以通过 3/4 线串行协议或 8080 并口驱动。正点原子的 TFT-LCD 模块上的电路配置为 8080 并口方式，其显存总大小为 172800（24032018/8），即 18 位模式（26 万色）下的显存量。在 16 位模式下，ILI9341 采用 RGB565 格式存储颜色数据，此时 ILI9341 的 18 位显存与 MCU 的 16 位数据线以及 RGB565 的对应关系如图 25.1.2.1 所示：

从图中可以看出，ILI9341 在 16 位模式下面，18 位显存的 B0 和 B12 并没有用到，对外的数据线使用 DB0-DB15 连接 MCU 的 D0-D15 实现 16 位颜色的传输。MCU 的 16 位数据，最低 5 位代表蓝色，中间 6 位为绿色，最高 5 位为红色。数值越大，表示该颜色越深。另外，特别注意 ILI9341 所有的指令都是 8 位的（高 8 位无效），且参数除了读写 GRAM 的时候是 16 位，其他操作参数，都是 8 位的。

2.1 芯片功能框图

2.2 接口逻辑信号

其中IM[3:0]引脚取值来选择接口模式

2.3 时序逻辑

8080-I/8080-II串并接口，通过D[17:0]数据引脚实现寄存器的存取

以写周期为例，8080 方式下的操作时序如图

TFLCD模块引脚为

通过原理图对比可操控对应的GPIO口输出正确的写时序和读时序

2.4 指令格式

2.4.1 读ID(0xD3)

0xD3 指令后面跟了 4 个参数，最后 2 个参数，读出来是 0x93 和 0x41，刚好是我们控制器 ILI9341 的数字部分，从而，通过该指令，即可判别所用的 LCD 驱动器是什么型号，这样，我们的代码，就可以根据控制器的型号去执行对应驱动 IC 的初始化代码，从而兼容不同驱动 IC 的屏，使得一个代码支持多款 LCD。

值得一提的是，该指令发出后读出的第一个参数为假读，是没有意义的，丢弃即可。

2.4.2 访问控制(0x36)

从上表可以看出，0x36 指令后面，紧跟一个参数，这里主要关注：MY、MX、MV 这三个位，通过这三个位的设置，我们可以控制整个 ILI9341 的全部扫描方向，如表 25.1.2.4 所示：

2.4.3 X坐标设置指令（0X2A）

SC：起始坐标

EC：结束坐标

0≤SP≤EP≤319（LCD像素高度）

2.4.4 Y坐标设置指令（0X2B）

SP：起始坐标

EP：结束坐标

0≤SP≤EP≤319（LCD像素高度）

2.4.5 写GRAM指令（0X2C）

由表 25.1.2.7 可知，在收到指令 0X2C 之后，数据有效位宽变为 16 位，我们可以连续写入LCD GRAM 值，而 GRAM 的地址将根据 MY/MX/MV 设置的扫描方向进行自增。例如：假设设置的是从左到右，从上到下的扫描方式，那么设置好起始坐标（通过 SC，SP 设置）后，每写入一个颜色值，GRAM 地址将会自动自增 1（SC++)，如果碰到 EC，则回到 SC，同时 SP++，一直到坐标：EC，EP 结束，期间无需再次设置的坐标，从而大大提高写入速度。

2.4.6 读GRAM指令（0X2E）

该指令用于读取 GRAM，如表 25.1.2.7 所示，ILI9341 在收到该指令后

第一次输出的是dummy 数据，也就是无效的数据

第二次开始，读取到的才是有效的 GRAM 数据（从坐标：SC，SP 开始），输出规律为：每个颜色分量占 8 个位，一次输出 2 个颜色分量。比如：第一次输出是 R1G1，随后的规律为：B1R2→G2B2→R3G3→B3R4→G4B4→R5G5…以此类推。

如果我们只需要读取一个点的颜色值，那么只需要接收到参数 3 即可，如果要连续读取（利用 GRAM地址自增，方法同上），那么就按照上述规律去接收颜色数据

2.4.7 代码实例

uint16_t  lcd_rd_data(void)
{
	uint16_t ram;  			/* 定义变量 */
	DATA_IN_MODE();			/* 设置数据输入 */
 	LCD_RS(1);              /* 操作数据 */
    LCD_CS(0);				/* 选中 */
    LCD_RD(0);				/* RD低电平 */
   	ram = LCD_DATA_IN;    	/* 读取数据 */
    LCD_RD(1);				/* RD高电平 */
    LCD_CS(1);				/* 释放片选 */
	DATA_OUT_MODE();		/* 设置数据输出 */
	return ram；				/* 返回读数 */
}

uint16_t  lcd_read_point (uint16_t x, uint16_t y)
{
	uint16_t r = 0, g = 0, b = 0;	/* 定义变量 */
	lcd_set_cursor(x, y);			/* 设置坐标 */
 	lcd_wr_regno(0X2E);				/* 发读点命令 */
 	r = lcd_rd_data();  			/* 假读 */
	r = lcd_rd_data();  			/* 读rg */
	b = lcd_rd_data(); 				/* 读b */
    g = r & 0XFF;       			/* 得到g值 */
	return (((r >> 11) << 11) | ((g >> 2) << 5) | (b >> 11));

3. 使用FSMC控制LCD

3.1 FSMC简介

ILI9341 的 8080 通讯接口时序可以由 STM32 使用 GPIO 接口进行模拟，但这样效率太低，STM32 提供了一种更高效的控制方法——使用 FSMC 接口实现 8080 时序，但 FSMC 是 STM32片上外设的一种，并非所有的 STM32 都拥有这种硬件接口，使用何种方式驱动需要在芯片选型时就确定好。我们的开发板支持 FSMC 接口，下面我们来了解一下这个接口的功能。

FSMC，即灵活的静态存储控制器，能够与同步或异步存储器和 16 位 PC 存储器卡连接，FSMC 接口可以通过地址信号，快速地找到存储器对应存储块上的数据。STM32F1 的 FSMC 接口支持包括 SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH 和 PSRAM 等存储器。F1 系列的大容量型号，且引脚数目在 100 脚及以上的 STM32F103 芯片都带有 FSMC 接口，正点原子战舰STM32F103 的主芯片为 STM32F103ZET6，是带有 FSMC 接口的。

3.2 程序框图

3.3 FMC通信引脚介绍

我们可以看出，STM32 的 FSMC 可以驱动 NOR/PSRAM、NAND、PC 卡这 3类设备，他们具有不同的 CS 以区分不同的设备。本部分我们要用到的是 NOR/PSRAM 的功能。

①为 FSMC 的总线和时钟源

②为 STM32 内部的 FSMC 控制单元

③是连接硬件的引脚

④是 NOR/PSRAM 会使用到的信号控制线，

这里的“公共信号”表示不论我们驱动前面提到的 3 种设备中的哪种，这些 IO 是共享的，所以如果需要用到多种功能的情况，程序上还要考虑分时复用。③和④这些信号比较重要，它们的功能如表

3.4 FMC地址映射

STM32F1 的 FSMC 将外部存储器划分为固定大小为 256M 字节的四个存储块，FSMC 的外部设备地址映像如图 25.1.3.2 所示：

从上图可以看出，FSMC 总共管理 1GB 空间，拥有 4 个存储块（Bank），FSMC 各 Bank 配置寄存器如表 25.1.3.2：

本章，我们用到的是块 1，所以在本章我们仅讨论块 1 的相关配置

STM32F1 的 FSMC 存储块 1（Bank1）被分为 4 个区，每个区管理 64M 字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。Bank1 的 256M 字节空间可以通过 28 根地址线（HADDR[27:0]）寻址后访问。这里 HADDR 是内部 AHB 地址总线，其中 HADDR[25:0]来自外部存储器地址 FSMC_A[25:0]，而 HADDR[26:27]对 4 个区进行寻址。如表 25.1.3.3 所示：

3.5 HADDR与FMC_A关系

FSMC不同位宽操作

HADDR总线是转换到外部存储器的内部AHB地址线，简单来说，从CPU通过AHB总线到外部信号线之间的关系。

HADDR是字节地址，而存储器访问不都是按字节访问，接到存储器的地址线与其数据宽度相关。

这里要注意的是FSMC中每一个地址，对应的是存储器中的一个字节

假设我们用BANK1的区1，那么0x6000 0000-0x63ff ffff (共64M个字节byte地址) 对应的就是存储器的地址就是64Mx8=512M地址

也就是FSMC的64M个bit地址映射着存储器64M个字节byte地址

那也就是默认情况下存储器地址数据为8位，可以正常读取，但是如果存储器地址数据为16位，32位，就是两个字节一个地址，四个字节一个地址，那么控制16位，32位宽度的存储设备，且不支持单字节访问就比较麻烦了。比如16位宽度的NOR Flash，写入仅支持16位或者32位（通过写入两次16位），写入8位数据是不支持的 。

这样的话，我们本来对应64M的字节byte地址，就变成了32M的双字节byte地址，也就是最后一位无效了，因为地址一次要加2

这个时候，为了方便操作，FMC在硬件设计上就提供了一种解决办法，将内部数据总线ADDR[25:0]措位后接到FMC_A地址引脚上，“丢弃”地址的bit-0，从bit-1开始对地址计数（相当于只计算偶数地址，总共有32M个地址）

FSMC在实际输出地址时，将地址的值右移一位（相当于除以2，变成了偶数地址），输出到实际的地址线上。

当 Bank1 接的是 16 位宽度存储器的时候：HADDR[25:1]→FSMC_A[24:0]。

当 Bank1 接的是 8 位宽度存储器的时候：HADDR[25:0] →FSMC_A[25:0]。

不论外部接8位/16 位宽设备，FSMC_A[0]永远接在外部设备地址A[0]。

这里，TFTLCD使用的是 16 位数据宽度，所以 HADDR[0]并没有用到，只有 HADDR[25:1]是有效的，对应关系变为：HADDR[25:1]→FSMC_A[24:0]，相当于右移了一位。具体来说，比如地址：0x7E，对应二进制是：01111110，此时 FSMC_A6 是 0 而不是 1，因为要右移一位，这里请特别注意。

另外，HADDR[27:26]的设置，是不需要我们干预的，比如：当你选择使用 Bank1 的第三个区，即使用 FSMC_NE3 来连接外部设备的时候，即对应了 HADDR[27:26]=10，我们要做的就是配置对应第 3 区的寄存器组，来适应外部设备即可。对于 NOR FLASH 控制器，主要是通过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx 和 FSMC_BWTRx 寄存器设置（其中 x=1~4，对应 4 个区）。通过这 3 个寄存器，可以设置 FSMC 访问外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。

3.6 FMC时序介绍

FMC是Flexible灵活的，可以产生多种时序来控制外部存储器**。FSMC 外设挂载在 AHB 总线上，时钟信号来自于 HCLK(默认 72MHz)，控制器的同步时钟输出就是由它分频得到。**我们控制LCD主要应用FMC的异步时序

3.6.1时序参数设置

• 地址建立(ADDSET)，地址保存(ADDHLD)，数据建立(DATAST) 这三个设置是异步存储器专属的
• 总线周转是每次操作的间隔时间
• **时钟分频比(CLKDIV)和数据延迟(DATLAT)**是同步存储器的

3.6.1 同步时序

FSMC 的 NORFLASH 控制器支持同步和异步突发两种访问方式。选用同步突发访问方式时，FSMC 将 HCLK(系统时钟)分频后，发送给外部存储器作为同步时钟信号 FSMC_CLK。

此时需要的设置的时间参数有 2 个：

1. HCLK与FSMC_CLK的分频系数(CLKDIV)，可以为2～16分频；

2. 同步突发访问中获得第1个数据所需要的等待延迟(DATLAT)。

3.6.2 异步时序

对于异步突发访问方式，FSMC 主要设置 3 个时间参数：

• 地址建立时间(ADDSET)

• 数据建立时间(DATAST)

• 地址保持时间(ADDHLD)。

• FSMC 综合了 SRAM／ROM、PSRAM 和 NOR Flash 产品的信号特点，定义了 4 种不同的异步时序模型。选用不同的时序模型时，需要设置不同的时序参数，如表 25.1.3.4 所列：

在实际扩展时，根据选用存储器的特征确定时序模型，从而确定各时间参数与存储器读/写周期参数指标之间的计算关系；利用该计算关系和存储芯片数据手册中给定的参数指标，可计算出 FSMC 所需要的各时间参数，从而对时间参数寄存器进行合理的配置。

模式A支持独立的读写时序控制。这个对我们驱动TFTLCD来说非常有用，因为TFTLCD在读的时候，一般比较慢，而在写的时候可以比较快，如果读写用一样的时序，那么只能以读的时序为基准，从而导致写的速度变慢，或者在读数据的时候，重新配置FSMC的延时，在读操作完成的时候，再配置回写的时序，这样虽然也不会降低写的速度，但是频繁配置，比较麻烦。而如果有独立的读写时序控制，那么我们只要初始化的时候配置好，之后就不用再配置，既可以满足速度要求，又不需要频繁改配置。

模式A与模式1的区别是NOE的变化和相互独立的读写时序

写时序类似，区别是它的一个存储器操作周期仅由地址建立周期(ADDSET)和数据建立周期(DATAST)组成，且在数据建立周期期间写使能信号线发出写信号，接着 FSMC 把数据通过数据线传输到存储器中。

图 25.1.3.3 和图 25.1.3.4 中的 ADDSET 与 DATAST，是通过不同的寄存器设置的。

以读时序为例，该图表示一个存储器读操作周期由地址建立周期(ADDSET)、**数据建立周期(DATAST)**以及 2 个 HCLK 周期组成。

在地址建立周期中，地址线发出要访问的地址，数据掩码信号线指示出要读取地址的高、低字节部分，片选信号使能存储器芯片；
地址建立周期结束后读使能信号线发出读使能信号，接着存储器通过数据信号线把目标数据传输给 FSMC，FSMC 把它交给内核。

3.7 FSMC寄存器介绍

3.7.1 FMC_BCRx 片选控制寄存器

• EXTMOD：扩展模式使能位，也就是是否允许读写不同的时序，很明显，我们本章需要读写不同的时序，故该位需要设置为 1。

• WREN：写使能位。我们需要向 TFTLCD 写数据，故该位必须设置为 1。

• MWID[1:0]：存储器数据总线宽度。我们的 TFTLCD 是 16 位数据线，所以设置该值为 01。

• MTYP[1:0]：存储器类型。前面提到，我们把 TFTLCD 当成 SRAM 用，所以需要设置该值为 00。

• MBKEN：存储块使能位。这个容易理解，我们需要用到该存储块控制 TFTLCD，当然要使能这个存储块了。

3.7.2 FSMC_BTRx 片选时序寄存器

这个寄存器包含了每个存储器块的控制信息，可以用于SRAM、ROM和NOR闪存存储器。

如果FSMC_BCRx寄存器中设置了EXTMOD位，则有两个时序寄存器分别对应读(本寄存器)和写操作(FSMC_BWTRx寄存器)。因为我们要求读写分开时序控制，所以EXTMOD是使能了的，也就是本寄存器是读操作时序寄存器，控制读操作的相关时序。本章我们要用到的设置有：ACCMOD、DATAST和ADDSET这三个设置。

• ACCMOD[1:0]：访问模式。本章我们用到模式A，故设置为00。
• DATAST[7:0]：数据保持时间。
• ADDSET[3:0]：地址建立时间。

DATAST数据保持时间。对 ILI9341 来说，其实就是 RD 低电平持续时间，最小为355ns。而一个 HCLK 时钟周期为 13.9ns 左右（1/72Mhz），为了兼容其他屏，我们这里设置DATAST 为 15，也就是 16 个 HCLK 周期，时间大约是 222ns（未计算数据存储的 2 个 HCLK时间，对 9341 来说超频了，但是实际上是可以正常使用的）

ADDSET[3:0]：地址建立时间。其建立时间为：ADDSET 个 HCLK 周期，最大为 15 个 HCLK周期。对 ILI9341 来说，这里相当于 RD 高电平持续时间，为 90ns，本来这里我们应该设置和DATAST 一样，但是由于 STM32F103 FSMC 的性能问题，就算设置 ADDSET 为 0，RD 的高电平持续时间也超过 90ns。所有，我们这里可以设置 ADDSET 为较小的值，本章我们设置 ADDSET为 1，即 2 个 HCLK 周期。

3.7.3 FSMC_BWTRx写时序寄存器

该寄存器在本章用作写操作时序控制寄存器，需要用到的设置同样是：ACCMOD、DATAST和 ADDSET 这三个设置。这三个设置的方法同 FSMC_BTRx 一模一样，只是这里对应的是写操作的时序

3.8 FMC寄存器组合说明

在 MDK 的寄存器定义里面，并没有定义 FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx 等这个单独的寄存器，而是将他们进行了一些组合。

FSMC_BCRx 和 FSMC_BTRx，组合成 BTCR[8]寄存器组，他们的对应关系如下：

• BTCR[0]对应 FSMC_BCR1，

• BTCR[1]对应 FSMC_BTR1

• BTCR[2]对应 FSMC_BCR2

• BTCR[3]对应 FSMC_BTR2

• BTCR[4]对应 FSMC_BCR3

• BTCR[5]对应 FSMC_BTR3

• BTCR[6]对应 FSMC_BCR4

• BTCR[7]对应 FSMC_BTR4

FSMC_BWTRx 则组合成 BWTR[7]，他们的对应关系如下：

• BWTR[0]对应 FSMC_BWTR1，

• BWTR[2]对应 FSMC_BWTR2，

• BWTR[4]对应 FSMC_BWTR3，

• BWTR[6]对应 FSMC_BWTR4，

• BWTR[1]、BWTR[3]和 BWTR[5]保留，没有用到。

3.6 流程总结

当 FSMC 外设被配置成正常工作，并且外部接了 NOR FLASH 时，若向 0x60000000 地址写入数据如 0xABCD，FSMC 会自动在各信号线上产生相应的电平信号，写入数据。FSMC 会控制片选信号 NE1 输出低电平选择相应的 NOR 芯片，然后使用地址线 A[25:0]输出0x60000000，在 NWE 写使能信号线上发出低电平的写使能信号，而要写入的数据信号0xABCD 则从数据线 D[15:0]输出，然后数据就被保存到 NOR FLASH 中了。

4. 代码实例

4.1 FSMC初始化顺序

这里我们先说下FSMC的总体初始化顺序：

1. FSMC硬件层初始化:使能 FSMC 和 GPIO 时钟，初始化 IO 口配置，设置映射关系
2. 设置FSMC接口句柄初始化
3. 设置FSMC读时序/写时序初始化

在STM32技术手册中，针对FSMC引脚的GPIO模式配置，已经进行了说明，具体FSMC总线配置方法如下。下表指的是整个FSMC接口的引脚初始化配置说明，应该根据实际初始化相关的引脚

FSMC 接口支持多种存储器，包括 SDRAM，NOR，NAND 和 PC CARD等。HAL 库为每种支持的存储器类型都定义了一个独立的 HAL 库文件，并且在文件中定义了独立的初始化函数，这里我们就列出几种存储器的初始化函数：

HAL_SRAM_Init();//SRAM 初始化函数,省略入口参数
HAL_SDRAM_Init();//SDRAM 初始化函数,省略入口参数
HAL_NOR_Init();//NOR 初始化函数,省略入口参数
HAL_NAND_Init();//NAND 初始化函数,省略入口参数

我们以异步SRAM，hal库来说下具体的初始化流程

4.2 FSMC硬件层初始化

STM32的管脚排列很没有规律,而且分布在多个不同端口上,初始化要十分小心.需要用到的引脚都要先初始化成”复用功能推挽输出”模式.(GPIO_InitStructure.GPIO_Mode=GPIO_Mode_AF_PP )并且开启时钟 (RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOx, ENABLE); )使能 FSMC 和 GPIO 时钟，初始化 IO 口配置，设置映射关系

 void FSMC_SRAM_MspInit(void)
{
  GPIO_InitTypeDef GPIO_Init_Structure;

  /* Enable FMC clock */
  __HAL_RCC_FSMC_CLK_ENABLE();
  
  /* Enable GPIOs clock */
  __HAL_RCC_GPIOD_CLK_ENABLE();
  __HAL_RCC_GPIOE_CLK_ENABLE();
  __HAL_RCC_GPIOF_CLK_ENABLE();
  __HAL_RCC_GPIOG_CLK_ENABLE();
  
  /* Common GPIO configuration */
  GPIO_Init_Structure.Mode      = GPIO_MODE_AF_PP;
  GPIO_Init_Structure.Pull      = GPIO_PULLUP;
  GPIO_Init_Structure.Speed     = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;
  
  /* 地址线:F0---F5,F12---F15,G0---G5,D11---D13;
     数据信号线;D0,D1,D8---D10,D14,D15,E7---E15;
     CS片选:G10;
     WE写使能:D5;
     OE读使能;D4;
     UB数据掩码;E1;
     LB数据掩码;E0;
  */
  
  /* GPIOD configuration */
  GPIO_Init_Structure.Pin   = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_4 | GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_8     |\
                              GPIO_PIN_9 | GPIO_PIN_10 | GPIO_PIN_11 | GPIO_PIN_12 | GPIO_PIN_13 |\
                              GPIO_PIN_14 | GPIO_PIN_15;
   
  HAL_GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_Init_Structure);

  /* GPIOE configuration */  
  GPIO_Init_Structure.Pin   = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_7     |\
                              GPIO_PIN_8 | GPIO_PIN_9 | GPIO_PIN_10 | GPIO_PIN_11 | GPIO_PIN_12 |\
                              GPIO_PIN_13 | GPIO_PIN_14 | GPIO_PIN_15;
  HAL_GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_Init_Structure);
  
  /* GPIOF configuration */  
  GPIO_Init_Structure.Pin   = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_2| GPIO_PIN_3 | GPIO_PIN_4     |\
                              GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_12 | GPIO_PIN_13 | GPIO_PIN_14 | GPIO_PIN_15;
  HAL_GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_Init_Structure);
  
  /* GPIOG configuration */  
  GPIO_Init_Structure.Pin   = GPIO_PIN_0 | GPIO_PIN_1 | GPIO_PIN_2| GPIO_PIN_3 | GPIO_PIN_4     |\
                              GPIO_PIN_5 | GPIO_PIN_10;
  
  HAL_GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_Init_Structure);   
}

在完成硬件的MSP初始化之后，就要初始化SRAM了，使用的函数为 HAL_SRAM_Init()

 HAL_SRAM_Init(SRAM_HandleTypeDef *hsram, 
               FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef *Timing, 
               FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef *ExtTiming;

该函数有三个入口参数，

• 第一个参数 hsram，它是SRAM_HandleTypeDef 结构体指针类型 设置SRAM的基本参数
• 第二个参数 Timing 设置NORSRAM存储器的读时序
• 第三个参数 ExtTiming 设置NORSRAM存储器的写时序

4.3 FMC 接口句柄初始化

我们使用的结构体为：SRAM_HandleTypeDef

结构体 SRAM_HandleTypeDef 定义如下：

typedef struct
{
 FMC_NORSRAM_TypeDef *Instance;   //寄存器基地址
 FMC_NORSRAM_EXTENDED_TypeDef *Extended; //扩展模式寄存器基地址
 FMC_NORSRAM_InitTypeDef Init;
 HAL_LockTypeDef Lock; 
 __IO HAL_SRAM_StateTypeDef State;
 DMA_HandleTypeDef *hdma; 
}SRAM_HandleTypeDef;

• Instance： 寄存器基地址，如果读写时序一样则配置基地址就行
• Extended 扩展模式寄存器基地址 也就是读写时序不同的时候， 指定写操作时序寄存器地址
• FMC_NORSRAM_InitTypeDef Init 是 FSMC_NORSRAM_InitTypeDef 结构体指针类型，是真正用来设置 SRAM 控制接口参数的
• 成员变量 Lock 和 State 是 HAL 库处理状态标识变量
• 成员变量 hdma 在使用 DMA 时候才使用

也就是我们只需要关心前三个参数，最主要的是第三个Init ，我们来看下：

 /** 
 * @brief FSMC NOR/SRAM Init structure definition
 */
 typedef struct
 {
 uint32_t NSBank; /*设置要控制的 Bank 区域 */
 uint32_t DataAddressMux; /*设置地址总线与数据总线是否复用 */
 uint32_t MemoryType; /*设置存储器的类型 */
 uint32_t MemoryDataWidth; /*设置存储器的数据宽度*/
 uint32_t BurstAccessMode; /*设置是否支持突发访问模式，只支持同步类型的存储器 */ 
 uint32_t WaitSignalPolarity; /*设置等待信号的极性*/
 uint32_t WrapMode; /*设置是否支持对齐的突发模式 */
 uint32_t WaitSignalActive; /*配置等待信号在等待前有效还是等待期间有效 */
 uint32_t WriteOperation; /*设置是否写使能 */
 uint32_t WaitSignal; /*设置是否使能等待状态插入 */
 uint32_t ExtendedMode; /*设置是否使能扩展模式 */
 uint32_t WriteBurst; /*设置是否使能写突发操作*/
 uint32_t AsynchronousWait; /*设置是否使能等待信号*/
 uint32_t PageSize; /*指定页的大小*/

 } FSMC_NORSRAM_InitTypeDef;

NSBank 用来指定使用到的存储块区号，

DataAddressMux 用来设置是否使能地址/数据复用,该变量仅对 NOR/PSRAM 有效

MemoryType 用来设置存储器类型

MemoryDataWidth用来设置存储器数据总线宽度，可选 8 位还是 16 位，

WriteOperation 用来设置存储器写使能，也就是是否允许写入。毫无疑问我们会进行存储器写操作

ExtendedMode 用来设置是否使能扩展模式，也就是是否允许读写使用不同时序

ContinuousClock 用来设置启用/禁止 FSMC 时钟输出到外部存储设备 ，

其他参数 WriteBurst，BurstAccessMode，WaitSignalPolarity，WrapMode，WaitSignalActive，WaitSignal，AsynchronousWait 等是用在突发访问和同步时序情况下，这里我们不做过多讲解。

4.4 设置FSMC读时序/写时序初始化

2个参数Timing和ExtTiming，它们都是FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef结构体指针类型，分别用来设置 FMC 接口读和写时序，主要涉及地址建立保持时间，数据建立时间等等配置，
如果是异步存储器，读写时序不一样，读写速度要求不一样，参数Timing 和 ExtTiming 需要设置了不同的值。
如果是同步存储器，读写时序设置一致就可

FMC_NORSRAM_TimingTypeDef 结构体定义如下：

typedef struct
{
 uint32_t AddressSetupTime; //地址建立时间 
 uint32_t AddressHoldTime; //地址保持时间 
 uint32_t DataSetupTime; //数据建立时间 
 uint32_t BusTurnAroundDuration;   //总线恢复时间
 uint32_t CLKDivision;  // 时钟分频因子
 uint32_t DataLatency; //同步突发 NOR FLASH 的数据延迟 
 uint32_t AccessMode; //异步模式配置 
}FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef;

4.5 最终初始化代码

/**
  * @brief  Initializes the SRAM device.
  * @retval SRAM status
  */
void FSMC_SRAM_Init(void)
{ 
	
	//结构体句柄初始化
	SRAM_HandleTypeDef  SRAM_Handler;

	FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef FSMC_ReadWriteTim;
	FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef FSMC_WriteTim;
	
	
	
	//FSMC初始化寄存器
	SRAM_Handler.Instance = FSMC_NORSRAM_DEVICE;
	SRAM_Handler.Extended = FSMC_NORSRAM_EXTENDED_DEVICE;
  

	SRAM_Handler.Init.NSBank=FSMC_NORSRAM_BANK4;     					        //使用NE4
	SRAM_Handler.Init.DataAddressMux=FSMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE; 	//地址/数据线不复用
	SRAM_Handler.Init.MemoryType=FSMC_MEMORY_TYPE_SRAM;   				    //SRAM
	SRAM_Handler.Init.MemoryDataWidth=FSMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_16; 	//16位数据宽度
	SRAM_Handler.Init.BurstAccessMode=FSMC_BURST_ACCESS_MODE_DISABLE; //是否使能突发访问,仅对同步突发存储器有效,此处未用到
	SRAM_Handler.Init.WaitSignalPolarity=FSMC_WAIT_SIGNAL_POLARITY_LOW;//等待信号的极性,仅在突发模式访问下有用
	SRAM_Handler.Init.WaitSignalActive=FSMC_WAIT_TIMING_BEFORE_WS;   	//存储器是在等待周期之前的一个时钟周期还是等待周期期间使能NWAIT
	SRAM_Handler.Init.WriteOperation=FSMC_WRITE_OPERATION_ENABLE;    	//存储器写使能
	SRAM_Handler.Init.WaitSignal=FSMC_WAIT_SIGNAL_DISABLE;           	//等待使能位,此处未用到
	SRAM_Handler.Init.ExtendedMode=FSMC_EXTENDED_MODE_DISABLE;        	//读写使用相同的时序
	SRAM_Handler.Init.AsynchronousWait=FSMC_ASYNCHRONOUS_WAIT_DISABLE;	//是否使能同步传输模式下的等待信号,此处未用到
	SRAM_Handler.Init.WriteBurst=FSMC_WRITE_BURST_DISABLE;           	  //禁止突发写
  
  
  
  	//FSMC读时序控制寄存器
	FSMC_ReadWriteTim.AddressSetupTime=0x06;       	//地址建立时间（ADDSET）为7个HCLK 13.8ns*7=96.6ns
	FSMC_ReadWriteTim.AddressHoldTime=0;
	FSMC_ReadWriteTim.DataSetupTime=26;				//数据保存时间为27个HCLK	=13.8*27=372.6ns
	FSMC_ReadWriteTim.AccessMode=FSMC_ACCESS_MODE_A;//模式A
	//FSMC写时序控制寄存器
	FSMC_WriteTim.BusTurnAroundDuration=0;			//总线周转阶段持续时间为0，此变量不赋值的话会莫名其妙的自动修改为4。导致程序运行正常
	FSMC_WriteTim.AddressSetupTime=3;          		//地址建立时间（ADDSET）为4个HCLK =55.2ns 
	FSMC_WriteTim.AddressHoldTime=0;
	FSMC_WriteTim.DataSetupTime=0x06;              	//数据保存时间为13.8ns*7个HCLK=96.6ns
	FSMC_WriteTim.AccessMode=FSMC_ACCESS_MODE_A;    //模式A
  
  
  
  
  /* SRAM controller initialization */
  FSMC_SRAM_MspInit();
  HAL_SRAM_Init(& SRAM_Handler, &FSMC_ReadWriteTim, &FSMC_WriteTim);

}