BSIM4对mos管的建模有一个参数叫nqsmod，默认nqsmod=0，此时仿真mos管的channel cap会带宽偏大，如果要精确仿真moscap的带宽，需要手动改model file，讲nqsmod设成1；

需要注意的是，varactor一般是积累型电容，不存在一个S/D的沟道，电容存在于gate和well之间，和mosfet是有差别的，暂时没有看到varactor有nqsmod的影响；在logic工艺的model file里，varactor被建模成一个变化的电容器件，而在RF工艺的model file中这个电容器件会多一个并联的Gx（跨导器件？)，猜测是模仿漏电行为。好奇varactor电容的串联电阻是否对RF的性能有影响，为何不精确建模呢？