注意

1. 芯片型号：TMS320F28335
2. 参考资料：《TMS320F28335 DSP原理、开发及应用》
3. 对应PPT第二章
4. 本章内容较多而且较为重要，请结合PPT一起复习
5. 为了考试复习的同学请谨慎参考，本笔记的大部分都没考到

1 F28335内核

• 对用PPT15页

1.1 CPU

• 分为32位定点CPU和32位浮点CPU
• 使用原子指令，汇编编程更简便、尺寸更小、速度更快、不可被中断的指令、更高效的编译
  

1.2 总线结构

1. 程序读总线：
   22位地址，32位数据；
2. 数据读总线：
   32位地址，32位数据；
3. 数据写总线：
   32位地址，32位数据；

• 采用哈佛总线结构
  

1.3 流水线机制

• 这一机制在上一章有讲到
• 流水技术是将各指令的各个步骤重叠起来执行，即使得若干条指令的不同执行阶段可以处于同一时刻并行处理，这样每一个阶段称作一个流水。
  

1.4 FPU流水线

• 暂不清楚这是个什么东西

2 F28335的存储单元

2.1 F28335存储介质：

1）Flash存储器；
2）单周期访问RAM；
3）OTP；
4）片外存储器；
5）Boot ROM。

2.2 代码保护模块CSM

• 防止逆向工程，并保护知识产权（IP）
• Flash中的一段长度为128bit的存储空间
• 2¹²⁸ = 3.4 x 10³⁸ 种可能的密码
• 在150MHz的时钟频率下，每8个时钟周期试验一组密码，则最多需要5.8 x 10²³年

3 片上外设

• 增强型脉宽调制模块
• 增强型捕获模块
• 增强型正交编码脉冲模块
• 数模转换模块
• 看门狗模块
• 控制局域网络总线模块
• 集成电路总线模块
• 串行通信接口模块
• 串行外设接口模块
• 多通道缓冲串行接口模块
• 通用输入输出接口模块
  
• 这里仅仅是将片内外设列举一遍，后边的笔记里会有具体的讲解。

4 F28335特点

• PPT：24

4.1 高性能静态 CMOS 技术

• 主频最高达 150MHz
• 1.9V/1.8V内核，3.3V I/O设计

4.2 高性能 32 位 CPU

• IEEE-754 单精度浮点单元
• 16 x 16 和 32 x 32 介质访问控制 (MAC) 运算
• 16 x 16 双 MAC
• 哈佛 (Harvard) 总线架构
• 快速中断响应和处理
• 统一存储器编程模型和高效代码

4.3 6 通道 DMA 处理器

4.4 16 位或 32 位外部接口XINTF

4.5 片内存储器

• 256K Flash，34K×16 SARAM
• 1K×16 OTP ROM

4.6 引导ROM

• 8K×16
• 支持软件引导模式（通过 SCI，SPI，CAN，I2C，McBSP，XINTF 和并行 I/O）

4.7 时钟和系统控制

• 支持动态锁相环 (PLL) 比率变化，片载振荡器，安全装置定时器模块

4.8 GPIO

• GPIO0 到 GPIO63 引脚可以连接到八个外部内核中断其中的一个

4.9 PIE

• 可支持全部58个外设中断的外设中断扩展 (PIE) 块

4.10 128 位安全密钥/锁

• 保护闪存 / OTP/RAM 模块，防止固件逆向工程
• 上文提到过

4.11 增强型控制外设

• ePWM，eCAP，eQEP

4.12 3个32位定时器

4.13 串行端口外设

• CAN，SCI，McBSP，SPI，I2C

4.14 12位模数转换器

• 80ns转换速度，2×8通道输入复用
• 两个采样保持，单一/同步转换
• 内部或外部电压基准

4.15 低功耗模式和省电模式

• 支持IDLE（空闲）、STANDBY（待机）、HALT（暂停）模式
• 可禁用独立外设时钟