存储器概述
- 计算机存储器分为两大类：内存存储器和外部存储器（简称内存或内存条和外存）。
- 内存容量小，存取速度快，只能临时保存信息（经cup处理后的数据），断电后信息就会消失。
- 外存容量大，存取速度比内存慢，能永久保存信息，断电后信息不会消失。
- 外存主要是磁盘。
- 磁盘包括硬盘，软盘，光盘，都属于外存。常用的硬盘有 SSD（固态硬盘），HDD（机械硬盘）等，现在常用SSD。
内存分类 ：
一、ROM也有很多种：PROM（可编程的ROM）、EPROM（可擦除可编程ROM）、EEPROM
1、PROM是一次性的，早期的产品，现在已经不可能使用了;
2、EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器;
3、EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢;
举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通讯记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
二、RAM有两大类：静态RAM(StaticRAM/SRAM）和动态RAM(Dynamic RAM/DRAM）
1、SRAM
不需要刷新电路，掉电丢失数据，而且一般不是行列地址复用的。
集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的；
SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据；
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多；
因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。
2、DRAM
掉电丢失数据。每隔一段时间就要刷新一次数据，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。
SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快；
从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的；
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
2.1、DDR RAM(Data-Rate RAM）也称作DDR SDRAM
这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
2.2、SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存储器）
即数据的读写需要时钟来同步。
其存储单元不是按线性排列的，是分页的。
DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM。
一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。
外存分类：
U盘：
闪存它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。采用的是FLASH高速存储芯片，虽然USB2.0理论上的传输速度可以达到480M每秒，USB3.0更是达到了G每秒的速度。
硬盘：
PATA接口现能支持的最高速率是PATA-7，即133MB/s
SATA接口现能支持的最高速率是SATA III，即6Gbit/s，也就是750MB/S左右
SCSI接口现能支持的最高速率是Ultra 640 SCSI，即640MB/S左右
SAS接口现能支持的最高速率是SAS II，即6Gbit/s，也就是750MB/S左右
光盘:
理论上来说是一倍速150KB/s，10倍速也就是1.5M/s左右
软盘：容量下转速慢（300左右）这是众所皆知的，
至于磁带速度应该是最慢的吧
所以目前的排序应该是
U盘>硬盘>光盘>软盘>磁带