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Multisim仿真电路:(十一)MOS管的仿真

MOS管虽然看着就是三个引脚的元器件,实际上却有很多应用,下面我试着仿真mos管的各种应用。

1.防反接电路

可以看到仿真结果,在正半轴是有电压的,负半轴是没有的,提供方波信号只是为了观察,实际上电路只会有一个方向的电压,如果反接了就会断电。

重点需要考虑功率和Rdson,Rdson一定要小,跟据使用的电压 选择Vgs,Vds的耐压。

改善电路的话,可以跟据使用的Mos管选择两个电阻在G级分压,顺便加个稳压管,保证通路稳定。

还有NMos管也可以做防反接,跟这个差不多,不过Pmos管更有优势,也更好理解。

2.电平转换电路

简单的说一下原理:主要是当任意一端IO为低电平的时候,另一端都会被拉低,高电平则互相不影响,就是利用mos管的通断,主要用于3.3V和5V的简单的转换,高速率估计都换专用的Buffer了。(参考KIA半导体)

3.MOS管开关电路

很经典也很常用的电路,利用单片机控制mos管通断,控制电源,关键也MOS管的选型。

4.MOS管放大电路

也是很经典的Mos管放大电路,和三极管放大比较类似,流控和压控的区别。

我们使用更多可能是开关电路。

5.缓启动电路(有问题)

基于Mos管的米勒平台,增加米勒平台的时间来控制电流。

Mos管的转移特性:固定VDS值,MOS晶体管的源漏电流IDS随栅源电压VGS的变化曲线

可以看到直接负载容性负载,仿真的结果是冲击电流将近100A

可以看到冲击电流确实降了不少,但不是想象中那么低,仿真了一下我们实际用的电路,也是差不多结果,Multisim的仿真能力有限?或者参数选择的有问题?欢迎大神指正。

有缓启动芯片可以直接替代,如果在低压的情况。

加油!!!!

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