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载流子的漂移运动 爱因斯坦关系

电子的漂移运动\small J_n=nq\mu_n|E|=(n_0+\Delta n)q\mu_n|E|

空穴的漂移电流\small J_p=pq\mu_p|E|=(p_0+\Delta p)q\mu_p|E|
如果非平衡载流子存在浓度梯度,那么非平衡载流子还会有扩散,这样就会产生扩散电流

 首先会产生一个漂移电流,在电场作用下都要做

左侧有光照,产生非平衡空穴,产生浓度梯度,会有扩散运动

空穴带正q电荷
\small J_p=pq\mu_p|E|-qD_p\frac{d\Delta p(x)}{dx},

同样我们再看样品里的电子,电子的运动方向是逆着电场

\small J_n=nq\mu_{n}|E|+qD_n\frac{d\Delta n(x)}{dx}

漂移是电场引起的,扩散是浓度梯度引起的


我们来讨论一下迁移率和扩散系数之间的关系

设热平衡态非简并(服从玻尔兹曼统计分布)非均匀掺杂N型半导体

假定N型样品从左到右,掺杂浓度逐渐降低,施主如果没有离化的话,

 大家看+代表的是施主杂质(电子被束缚住),室温下电子就自由了,现在每一个电子都被束缚住,现在可能是0K的时候,那如果是在300K下,这些电子可以都被离化,电子就做所谓的自由运动,这个时候电子浓度左边高,然后向右慢慢降低,因此有浓度梯度存在 ,扩散电流\small J=qD_n\frac{dn_0(x)}{dx},电子扩散了,正电中心,并不能扩散,被束缚在格点,因此就会产生电场,在电场存在下,这样就会产生漂移电流\small J=n_0(x)q\mu_n|E|,这两项之和应该是零

我们就得到了\small D_n\frac{dn_0(x)}{dx}=-n_0(x)\mu_n|E|

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