1 绘制版图

1.1 进入Layout XL

绘制好Schmatic后，在原理图界面点击Launch，点击Layout XL进入版图绘制界面。

1.2 导入元件

1、在Layout XL界面左下角找到Generate All from Source。

2、在Generate Layout界面，选中“Instance”，另外两个选项“I/0 Pins”和“PR Boundary”可以不选，点击OK。

3、可以看到版图界面出现了元件边框，输入“Shift+F”显示元件所有层。

4、软件左侧为不同层，具体根据PDK手册进行区分。
顶部Valid、Used、Routing可以选择显示不同级别的层，一般点击Used就够用了。

1.3 绘制版图

这里不详细描述。

• 左侧打开原理图界面，右侧打开版图界面，可以进行交叉选择，即选择原理图内的元件或导线，版图界面的元件或导线会高光显示。
• 快捷键A为对齐操作，先点击要移动的元件，再点击参考元件。
• 快捷键P为布线，会自动吸附，如果要绘制某一层，可以先选择界面左侧的图层。
• 快捷键Q：先点击某个元件（一般为MOS管），然后按下Q，可以弹出元件属性，在Parameter中可以设置栅极、源极、漏极的连接方式。
• 快捷键O：过孔（Via），连接不同层。（PMOS、NMOS的基极都需要使用过孔连接到POWER或GND，具体情况具体分析，一般是过孔和N阱区/元器件边缘对齐）
• 一般需要将引脚通过过孔连接到顶层金属层，点击O后选择Stack就可以做一个直达的过孔，而不需要一层层叠起来。
  
• 快捷键L：标签，一般需要单独的层放置，直接叠在引脚上面，与引脚不接触的话可能LVS通过不了。
• 快捷键K：测量两个点之间的距离。
• Shift+G：添加Guard Ring，或者菜单栏点击Create->MPP Guard Ring。
• 旋转、镜像操作的图标如下：
  
• 对齐操作的图标如下：
  
• 如果找不到：可以在Window->Toolbars内部寻找。
  

本人绘制的反相器版图如下：

1.4 保存

2 Calibre DRC

1、点击Calibre->Run nmDRC。

2、第一次跑DRC一般没有Runset，设置好DRC参数后保存，这里就能用了。这里可以直接Cancel。

3、导入DRC规则文件：
DRC Rules File一般会放在PDK包的Calibre/DRC内，选择.drc文件。

DRC Run Directory需要新建一个文件夹，否则生成的许多小文件会填满你的文件夹，非常杂乱。

4、点击Run DRC，运行。

5、运行结束，查看result。
点击漏斗，Show Not Waived，查看设计规则违例的问题。

6、查找位置：选中一个违例，在界面下方可以查看违例原因；点击小太阳，即可在版图中查看违例位置。

一般来说，设计规则会有一个更详细的用户手册，设计师能在手册里看到图像化的设计规则。

找到违例后在版图中修改保存，然后继续运行DRC，不断消除错误。
如果是Density（密度）问题，查看问题报告和设计手册，可以添加Dummy管填充区域。

7、保存Runset。

3 Calibre LVS

1、在Layout界面，点击Calibre->Run nmLVS。

2、Rules添加LVS规则文件：
LVS Rules File一般在PDK库内，选择.lvs文件。
另外设置一个LVS Run Directory。

3、Input->Netlist中选择Export from schematic viewer，自动导入原理图中的网表。

4、进入LVS Options：

手动输入自己的电源网络和地网络。

5、运行：Run LVS。

如果在1.3绘制版图部分没有设置Label或Label没放置在引脚上（Label的十字准星与引脚无接触），一般会输出错误。
需要查看.lvs文件，寻找Text、TXT、Label所代表的层，一般不能用在drawing层，会有一个单独的层放置Label（我的是M6TXT）。

6、输出结果：
输出CORRECT的话，LVS通过；输出INCORRECT的话，仔细查看report，内部有错误信息。