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TPS7B770X-Q1

一、主要特征

  • 车规级产品

  • 符合AEC-Q100标准,包含器件温度1级(-40℃~125℃环境温度);HBR人体放电模式ESD等级2;充电模式CDM的ESD等级C4B;

  • 电流检测功能

  • 可调节限流功能

  • 最多可支持双通道

  • 最大电流300mA/通道

  • 集成了热关断、欠压保护UVLO、短路保护、反向电池极性保护、反向电流保护、输出电池短路保护、输出感性负载钳位等保护功能

  • 集成了诊断功能,通过电流检测可以精确区分开路、短路和正常的状态;

  • 集成了反极性二极管,故外部无需单加反向二极管;

  • 16引脚的HTSSOP PowerPADTM封装

二、推荐应用场景

  • 有源天线电源

  • 环视摄像头电源

  • 小电流应用的高侧电源开关

三、管脚定义

封装图如下:

具体管脚定义及类型如下:

四、规范

1.绝对最大参数范围

规定了各个管脚的最大、最小电压范围以及产品结温、环境温度和存储温度的最大范围:

2.ESD

规格书明确给出了ESD的参数:

3.推荐工作环境

本参数仅是推荐,超过范围可能导致损坏、性能降低、可靠性下降。

4.发热信息

主要用来计算温升:

5.电气参数

输入电压14V,结温-40~150℃的条件下:

6.开关特性

7.典型参数

前提条件:VI=14V。

静态电流(芯片本身消耗的电流)和输出电流在不同温度下之间的关系图如下:

从上图可以看到随输出电流增大,静态电流也会变大,不过和环境温度基本无关;双通道芯片的静态电流相对更大一些;

关机电流受环境温度影响,具体如下:

从上图可知,随环境温度上升,关机电流也会增大;另外输入电压越高,关机电流也会变大;

静态电流和环境温度的关系如下:

反馈电压FB和环境温度的关系如下:

电压跌落和输出电流的相关性,如下:

电流限制和环境温度的关系:

PSRR(Power supply ripple rejection)输入电源纹波抑制的频响曲线:

可以看出低频上抑制比较好,高频差一些,特别是5MHz时大概10dB,也就是幅值只能衰减为1/3左右。

负载变化瞬态响应,模拟负载突变导致输出电压瞬间升高或降低的情况:

输入变化的瞬态响应:

五、详细说明

功能框图如下:

1.错误检测和保护

芯片是通过不同的电流感应电压( current-sense voltage scale)来区分芯片的不同状态,如下图:

2.短路和过流保护

电流限制大小是通过ILIMX管脚的外接电阻配置的,原理是ILIMX管脚的电压和内部参考电压进行比较,当达到阈值后,就会触发电流限制,这时对应通道电流会持续输出限制电流。

同时,ERR管脚会输出低电平,对应的CSX管脚也会输出过流的错误状态电压2.4V~2.65V。此时,MCU应监控ERR或CSX,如想关闭芯片输出,可设置对应通道的EN为低电平。当长期处于过流或短路状态时,将会使芯片发热严重,从而触发 thermal shutdown状态。

3.短电源和反向电流检测

每个通道在开关打开前通过比较OUT和IN引脚的电压来检测此故障。每次在EN引脚的上升沿或退出热关机期间启用LDO开关时,都会进行对电池短路检测。此时,如果设备检测到对电池短路故障,LDO开关被锁存( latched off),ERR引脚被断言为低电平,故障通道CSX电压被拉高至3.05 V和3.3 V之间的。当消除对电池短路并EN管脚高电平,设备正常工作。

当在正常工作期间触发了对电源短路,并导致反向电流持续超过5us,芯片将被latched off,且ERR管脚输出低电平。如想恢复正常,则需要解决短电源问题,并重新触发EN管脚。

串联的电感和输出电容会导致在上电或过来恢复时产生振铃,可能导致输出电压超过输入电压,因此芯片的典型16ms的反向电流消隐可以过滤这个振铃的误判。

如果两个通道都启用,并且一个通道在通电后对地短路,则从输入电容器汲取的电流可能会导致输入电压暂时下降,从而触发反向电流检测故障。为了避免这种错误触发事件,在选择输入电容器时必须小心。建议增加输入电容器值。

4.热关断

芯片内部集成了TSD(Thermal Shutdown)电路进行过热保护,在正常工作状态下,当结温超过了TSD电路的触发点,将会关闭芯片输出。当结温下降低于TSD触发点15℃(典型值),输出将重新自动打开。芯片处于TSD状态时,CSX管脚电压处于2.7V~3V之间。

5.集成反极性保护

该设备集成了反向连接的PMOS,以在输入反极性和输出对电池短路期间,阻断反向电流。最大可承受–40 V的电压。

6.集成电感钳位

在输出关闭状态下,线路电感会继续做为一个电流源提供电流,集成电感钳位有助于消耗线路电感的能量。内部二极管连接在OUT和GND引脚之间,直流电流能力为300mA,用于电感箝位保护。

7.欠压锁定

当输入电压低于 V (UVLO) 时(最大4V,规格书没有给出最小值),将会触发UVLO。欠压锁定将会确保在输入低压情况下LDO的输出不是未知状态。如果工作期间输入电压瞬间下降到V(UVLO)以下又恢复,则LDO将关闭后带电压恢复正常后重新Power UP。

总结各种工作状态,如下表:

8.EN管脚

芯片有2个高有效(最大2V)的使能EN管脚,EN1控制out1,EN2控制out2。当EN均为低电平(最小0.7V)时,设备最大消耗关机电流5uA。EN管脚均有内部最大下拉10uA。

单通道芯片关机电流也是5uA;EN内部最大下来10uA。

9.内部电压调节器

芯片内部有一个电压调节器,将VIN的输入电压转换成4.5V给内部电路供电。需要VCC和GND管脚之间加一个1uF的旁路电容进行频率补偿。VCC管脚可以对外供电,最大15mA。

10.多路电流感应

两个独立的电流感应引脚(每个通道一个)为系统设计提供了灵活性。当ADC资源有限时,该设备通过仅使用一个电流感应引脚和一个ADC来监测所有天线输出。

SENSE SEL引脚(TPS7B7702-Q1 only)选择通道以监测电流。SENSE EN引脚启用和禁用SENSE引脚,允许在芯片之间进行多路复用。因此,对于多个输出的电流感应诊断,只需要一个ADC和一个电阻。当SENSE1引脚连接到ADC时,可以通过改变SENSE_SEL引脚处的电平来感应通过两个通道的电流。

SEN_SEL和SENSE_EN的逻辑真值表:

单ADC感应监控多路输出电流的应用场景(通过配置不同的EN和SEL):

11.可调输出电压

芯片可以通过不同的分压电阻组合来实现1.5V~20V范围内的电压输出。框图及计算公式如下:

当FB直接接GND时,芯片工作在switch模式。

六、实际应用

典型的应用框图:

TI推荐电容使用低ESR的X5R或者X7R陶瓷电容,同时在负载变化较快的场景,可以加大输出电容,来防止电压跌落过大。

推荐设计参数:

1.输入电容

IN管脚需要一个去耦电容,大小根据实际场景来定,TI推荐10uF。需要注意电容的额度电压要大于输入电压。

另外,当输入电源距离芯片比较远时,TI建议再增加一个陶瓷旁路电容。

2.输出电容

输出电容的目的是稳定输出电压。电容大小范围是2.2uF~100uF,其ESR的大小为1mΩ~5Ω之间。TI建议选择低ESR的陶瓷电容来改善瞬态响应。

3.感应电流的电阻选择

感应电流是输出电流的1/198,需要外部一个电阻Rsense( SENSEx管脚和GND之间)来进行产生感应电压输出给MCU的ADC采样。计算公式:

Rsense的最大值为:

同时,为了保持环路稳定,需要在SENSEx管脚对GND接一个1uF的电容。

整个温度范围内,感应电流精度随输出电流增大而更高,具体为:

4.限流电阻选择

LIMx管脚对GND接一个Rlim电阻来进行设置最大输出电流,LIMx管脚内部连接到参考电压1.233V的限流比较器上,同时LIMx处的电流和输出电流的比例是1:198。则限流电阻Rlim和输出限值电流的计算关系如下:

另外,在所有条件下,电流限制精度最高为8%。关于计算最大限流和最小限流,具体如下:

七、Layout

为了增强散热性能,建议芯片周围增加一些via孔。禁止将电容放置在器件的反面,一定要放在同一面且尽量靠近器件管脚,过长的走线将引入ESR和ESL,会导致系统稳定性降低。具体如下图所示:

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