之前有在模电篇写过
这里讲了一部分MOSFET管的基本原理，阅读完此篇，学习效果更佳。
以下是N沟道增强型MOSFET工程上考虑的一些参数。
MOSFET的选型
下面是NCE6080K的一个N沟道增强型MOSFET
第一个是封装，功率，持续通过最大电流，第二个是vgsth，第三个是Rdson上，第四个是Cgs.
1.封装，功率，持续通过最大电流不做太多累述，一般大封装承载电流越大，散热性能越好
2.vgsth
实际上可以把MOS看出一个开关，以nmos-nce6080k为例,数据手册中给出Vgs(th)为2.8v
如果把mos看成一个电子开关，那么在gate电压减去source电压小于2.8V时，该MOS相当于一个无穷大电阻（断路），反之，大于2.8v时，MOS的电阻接近0
3.Rdson
上面说到gate电压减去source电压大于2.8V时，MOS的电阻接近0，那么在MOS完全打开时，MOS的电阻等于数据手册中的7mR
4.Cgs
这个参数主要体现在高频,因为材料制作工艺的问题，GS之间必不可免的产生电容（这里不做深究）
总之,MOS做开关控制时，理想的pwm应该是方波，但是，实际上由于该电容的存在，加在gate的电压首先要给它充电，然后有一个电压爬升的时间，并不会一下就打通。（同时放电也是）如果PWM的频率和这个爬升时间撞上，那么基本上是波形失真，搞不好要炸管的。
经验就是，由于制作工艺问题，Rdson和Cgs一般来说是一个反比关系，R越小，C越大。