之前有在模电篇写过
一.1.（2）半导体二极管的结构、工作原理、参数、伏安特性-CSDN博客
一.1.（3）半导体二极管基本电路的分析方法及常见应用电路-CSDN博客
这里讲了一部分PN结以及工程上的拓展，阅读完此篇，学习效果更佳。
以下是二极管常见的一些使用场景。
1.整流桥
KBP310
内部框图
封装
老式稳压电源
也就是2，3PIN对应交流输入，1对应交流输出正极，4对应交流输出负极
2.BUCK-BOOST中肖特基二极管
例如这个开源项目：
穿越机分电板2-6s(已测试) - 嘉立创EDA开源硬件平台
其中D2 为肖特基二极管，型号为SS34，Iav=2A
（MP1584EN芯片参数额定3A，之前用SS56(Iav=5A),但自己的板面跑不到那么高，实测2.2A左右。并且后级也没那么大的电流需求，所以降额使用）
3.FLYBACK中二极管
这个其实是利用二极管的单向导电性
4.LED发光二极管
以下面这个灯珠为例，可以试着按照上面方法计算，并且选用一个0201封装的电阻，并再次计算是否超过电阻的额定功率（实测20MA太亮，尽量控制在10ma以内）
5.稳压管
利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用
Vz 稳定电压：反向击穿后稳定工作的电压
Iz 稳定电流：工作电压等于稳定电压时的工作电流
Pz 额定功率：正常工作的最大功率损耗（这个记得调好串联电阻）
Zzt和Zzk 动态电阻:就是dv/di,这个值越小，说明性能越好
Ir 反向漏电流：
Vf 正向电压：
简单小项目哈
QC2.0诱骗器（固定输出12v） - 嘉立创EDA开源硬件平台（项目未验证）
稳压管的稳压值是5.1V，电源电压是12V，就必须串一个电阻来承担超出的6.9V电压，如果串一个1kΩ的电阻电流就是12mA，如果串500Ω就是24mA，具体串多大的合适，要根据稳压管的耗散功率和负载电流决定。
6.TVS管
TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。
（1）工作峰值反向电压VRWM（Working peak reverse voltage）
VRWM是TVS二极管能够保持高电阻状态的最小反向电压值。一般VRWM会低于85%Vc而高于正常工作电压，以便TVS接入电路而不影响正常。让这个参数略大于你的电源最大值（Vrwm≈1.1~1.2*Vin ）
（2）反向击穿电压VBR（Reverse breakdown voltage）
VBR是通过TVS二极管的反向电压是指TVS保护二极管开启时的电压，从此点开始器件进入雪崩击穿。（当电路电压超过该值，TVS内部自由电子轰击原子核，大量电子被释放，形成雪崩，这时，TVS近乎于短路，提供了一个回流路径，保护后端电路）
（3）钳位电压VC（Clamp voltage）
VC是钳位电压，施加规定波形的峰值脉冲电流 IPP 时，TVS 两端测得的峰值电压。在相同IPP下的VC越小，说明TVS的钳位特性越好。（注意：要小于后级电路最高承受的瞬态电压）
（4）反向漏电流IR（Reverse Leakage Current）
漏电流，也称待机电流。在规定温度和最高工作电压条件下，流过 TVS 的最大电流。TVS 的漏电流一般是在截止电压下测量。
（5）脉冲峰值功率PPK（Peak pulse power，tp = 8/20 us）
PPK是在TVS二极管本身损坏之前可以分流的最大浪涌功率。PPK测量采用下图所示的8/20us脉冲波形。(8/20us表示波形8us电流到100%，20 us电流到50%。（没怎么考虑过这个参数，以后用到补充）
空讲参数没用，简单分析一下，大疆C板这个电路
TVS具体参数
已知电池的正常工作电压VCC是24V，电池能冲到最大电压是27V附近,后级电路可承受的最高瞬态电压参数不知
考虑到电压波动，27*1.1=29.7，所以可得Vrmw=30v，即电源电压30V以下时，TVS呈现高阻态；
电压超过33.3-36.8V，TVS开始工作，提供泄流路径；
至于大于62.9的后端最大承受电压，查了查后端降压TPS54540的datasheet,没怎么理解。
芯片耐压最高42V，所以只能推断是去库存和保证大多数参数的一种无奈的妥协？
