需要对产品增加断电存储功能，因为设计电路板之前考虑设备供电及运行情况，加之电路板面积资源紧张，所以没考虑做断电存储。但在测试过程中，客户提出断电存储数据的要求。

断电存储考虑几种方案：1 FLASH  2 外部EEROM 3 RTC 

由于STM32F4的FALSH次数限制，还有存储数据较多，另一方面FLASH已经存储了一部分系统的设置参数，所以不作为优先考虑方案。

RTC由于存储量限制，要存储的数据是它的几十倍，也不做考虑。

正好板子上已经化了EEROM的位置，从24C02到24C256都可以选择，而不用更改硬件。

根据存储数据量，选择24C256.

在测试代码过程中，发现24C256只能存储60条浮点数，经测试，发现IIC延时过长，减少延时。能存储数据增加到135条。

由于电路板3.3V的电容只有2720uF,把两个10UF16V电容改为108钽电容，经测试，全部350条数据都能存储。

后来又有几次存不住，原来是特么24LC256最低工作电压2.5v,更换更低电压eerom解决

影响断电存储的因素：

1 MCU电源电容

2 EEROM电源电压

3 MCU复位电压

4 有源晶振电压

其中1，2，4必须同源，3必须尽可能低，否则没等EEROM存储结束，已经复位了。