VLSI芯片是在半导体材料上制造的，这种材料的导电性介于绝缘体和导体之间。通过一种称为掺杂的工艺引入杂质，可以改变半导体的电气特性。能够在半导体材料的细小且定义明确的区域内控制导电性，促使了半导体器件的发展。结合更简单的无源元件（电阻、电容和电感），这些器件被用来创建各种电子设备。

如第1章问题4所述，CMOS是最流行的半导体工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是CMOS工艺中的晶体管。MOSFET由n型或p型半导体材料通道组成，因此分别称为NMOSFET和PMOSFET，简称为NMOS和PMOS。MOSFET已成为VLSI集成电路中无处不在的主动元件。对更高性能和降低成本的竞争推动了电路元件向越来越小的尺寸缩放。

MOSFET晶体管通过半导体制造工艺构建，该工艺包括多个光刻和化学处理步骤。电子电路逐步通过这种一步一步的方式在纯半导体材料（如硅）的晶圆上创建。

在半导体制造中，各种加工步骤可分为四大类：沉积、去除、图形化和电气特性的修改。沉积指的是任何在晶圆上生长、涂覆或转移材料的工艺。可用的沉积技术包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、电化学沉积